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RQ1E070RPHZGTR
MOSFET, P-CH, -30V, -7A, TSMT-8 ROHS COMPLIANT: YES
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2,887 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.750 |
| 10+ | $1.170 |
| 25+ | $1.060 |
| 50+ | $0.942 |
| 100+ | $0.829 |
| 250+ | $0.758 |
| 500+ | $0.686 |
| 1000+ | $0.640 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ1E070RPHZGTR
No. Parte Newark83AK1004
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Diseño de Transistor
TSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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