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RH7L02BBJFRATCB
MOSFET, P-CH, 60V, 18.5A/WFDFN3333T8LSAB
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRH7L02BBJFRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark15AN2629
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.280 |
| 10+ | $1.100 |
| 15+ | $0.998 |
| 25+ | $0.909 |
| 50+ | $0.767 |
| 125+ | $0.683 |
| 250+ | $0.598 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$6.40
nota de línea
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRH7L02BBJFRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark15AN2629
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id18.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.097ohm
Diseño de TransistorWFDFN3333T8LSAB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia34W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18.5A
Diseño de Transistor
WFDFN3333T8LSAB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
34W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.097ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto