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RD3G07BATTL1
MOSFET, CANAL P, 40V, 70A, TO-252
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3G07BATTL1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark86AK6095
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.020 |
| 5000+ | $0.985 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,550.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3G07BATTL1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark86AK6095
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5700µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia101W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
101W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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