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R6524KNX3C16
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220AB ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6524KNX3C16
No. Parte Newark37AJ0927
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.330 |
| 10+ | $4.520 |
| 25+ | $4.290 |
| 50+ | $4.050 |
| 100+ | $3.820 |
| 250+ | $3.630 |
| 500+ | $3.430 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.33
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6524KNX3C16
No. Parte Newark37AJ0927
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.185ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia253W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.185ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
253W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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