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R6507END3TL1
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6507END3TL1
No. Parte Newark37AJ0919
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.900 |
| 10+ | $1.850 |
| 25+ | $1.730 |
| 50+ | $1.610 |
| 100+ | $1.490 |
| 250+ | $1.370 |
| 500+ | $1.260 |
| 1000+ | $1.190 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6507END3TL1
No. Parte Newark37AJ0919
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.665ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia78W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
78W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.665ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto