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R6502END3TL1
MOSFET, N-CHANNEL, 650V, 1.7A, TO-252
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.720 |
| 10+ | $1.090 |
| 25+ | $0.971 |
| 50+ | $0.850 |
| 100+ | $0.729 |
| 250+ | $0.652 |
| 500+ | $0.575 |
| 1000+ | $0.525 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6502END3TL1Copiar
No. Parte Newark02AM9704
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id1.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4ohm
Diseño de TransistorTO-252
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia26W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7A
Diseño de Transistor
TO-252
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
26W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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