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R6004JNJGTL
MOSFET, N-CH, 4A, 600V, TO-263S
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6004JNJGTL
No. Parte Newark01AH7800
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6004JNJGTL
No. Parte Newark01AH7800
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.43ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263S
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.43ohm
Diseño de Transistor
TO-263S
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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