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QS6K1TR

Name: ROHM QS6K1TR
Brand: ROHM
SKU: 74M4156
Availability: InStock

MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 1 A, 0.364 ohm

Fecha y lote

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FabricanteROHM

No. Parte FabricanteQS6K1TR

No. Parte Newark74M4156

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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)

Cantidad	Precio
1+	$1.060
10+	$0.602
25+	$0.542
50+	$0.481
100+	$0.421
250+	$0.382
500+	$0.343
1000+	$0.310

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Información del producto

FabricanteROHM

No. Parte FabricanteQS6K1TR

No. Parte Newark74M4156

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalN Channel

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30

Intensidad Drenador Continua Id1A

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-

Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1

Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-

Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.364

Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-

Diseño de TransistorTSMT

No. de Pines6Pines

Disipación de Potencia de Canal N900

Disipación de Potencia de Canal P-

Temperatura de Trabajo Máx.150

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)

Resumen del producto

El QS6K1TR es un MOSFET complejo de doble canal N diseñado como dispositivos de baja resistencia en ON mediante tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Está diseñado para máquinas procesadoras de monedas, terminales de datos portátiles, multímetro digital práctico y de banco, PLC, DVR/DVS, POS, bicicleta eléctrica, medidor inteligente, cámara de vigilancia, máquina de inspección de rayos X para seguridad, cámara de vigilancia para red , intercomunicador/monitor para bebés, dispositivo de autenticación de huellas dactilares, cámara de visión artificial para aplicaciones industriales y pantallas para EMS.

Baja resistencia de ENCENDIDO
Paquete pequeño y de montaje en superficie
Diodo de protección G-S incorporado
Rendimiento de cambio rápido

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P

Corriente de Drenaje Continua Id Canal P

Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente

No. de Pines

6Pines

Disipación de Potencia de Canal P

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

30V

Corriente de Drenaje Continua Id Canal N

Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente

0.364

Diseño de Transistor

TSMT

Disipación de Potencia de Canal N

900

Temperatura de Trabajo Máx.

150

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (25-Jun-2025)

Alternativas para el número de pieza QS6K1TR

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)

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