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QH8KE6TCR
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 4A, TSMT ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 10+ | $0.945 |
| 25+ | $0.838 |
| 50+ | $0.733 |
| 100+ | $0.627 |
| 250+ | $0.559 |
| 500+ | $0.490 |
| 1000+ | $0.447 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.49
nota de línea
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8KE6TCR
No. Parte Newark87AK0430
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.056ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.056ohm
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto