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HT8MD5HTB1
MOSFET, N/P-CH, 80V, 13W, HSMT
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.140 |
| 10+ | $1.360 |
| 25+ | $1.220 |
| 50+ | $1.070 |
| 100+ | $0.919 |
| 250+ | $0.824 |
| 500+ | $0.728 |
| 1000+ | $0.667 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteHT8MD5HTB1Copiar
No. Parte Newark29AM6915
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.112ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.165ohm
Diseño de TransistorHSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N13W
Disipación de Potencia de Canal P13W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.165ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
13W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.112ohm
Diseño de Transistor
HSMT
Disipación de Potencia de Canal N
13W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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