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HT8KE5HTB1
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 6.5A, HSMT
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark22AM1007
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.820 |
| 10+ | $1.160 |
| 25+ | $1.030 |
| 50+ | $0.905 |
| 100+ | $0.777 |
| 250+ | $0.695 |
| 500+ | $0.613 |
| 1000+ | $0.560 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.82
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteHT8KE5HTB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark22AM1007
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.21ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorHSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N13W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.21ohm
Diseño de Transistor
HSMT
Disipación de Potencia de Canal N
13W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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