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AG541EGS4FRATCB
MOSFET, P-CH, 40V, 120A, HPLF5060T5LSAH
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG541EGS4FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark51AM1814
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.350 |
| 10+ | $2.170 |
| 25+ | $1.950 |
| 50+ | $1.720 |
| 100+ | $1.500 |
| 250+ | $1.360 |
| 500+ | $1.220 |
| 1000+ | $1.170 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.35
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG541EGS4FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark51AM1814
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5900µohm
Diseño de TransistorHPLF5060T5LSAH
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Diseño de Transistor
HPLF5060T5LSAH
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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