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TP65H150G4PS
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H150G4PS
No. Parte Newark97AK4787
Rango de ProductoSuperGaN Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.530 |
| 10+ | $3.310 |
| 25+ | $3.240 |
| 50+ | $3.170 |
| 100+ | $3.100 |
| 250+ | $2.910 |
| 500+ | $2.720 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H150G4PS
No. Parte Newark97AK4787
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Carga de Compuerta Típica8
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Rango de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
16
Carga de Compuerta Típica
8
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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