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TP65H035G4WSQA
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H035G4WSQA
No. Parte Newark97AK4776
Rango de ProductoSuperGaN Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $16.030 |
| 10+ | $10.170 |
| 25+ | $10.160 |
| 50+ | $10.140 |
| 100+ | $10.130 |
| 250+ | $9.730 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H035G4WSQA
No. Parte Newark97AK4776
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id47.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041
Carga de Compuerta Típica22
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Rango de ProductoSuperGaN Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Calificación
AEC-Q101
Intensidad Drenador Continua Id
47.2
Carga de Compuerta Típica
22
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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