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TP65H015G5WS
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 95 A, 0.018 ohm, 74 nC, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H015G5WS
No. Parte Newark97AK4773
Rango de ProductoSuperGaN Series
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $44.84 |
| 5+ | $40.98 |
| 10+ | $37.11 |
| 25+ | $33.26 |
| 50+ | $29.40 |
| 100+ | $29.08 |
| 250+ | $28.77 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H015G5WS
No. Parte Newark97AK4773
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id95
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Carga de Compuerta Típica74
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Rango de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
95
Carga de Compuerta Típica
74
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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