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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.920 |
| 10+ | $5.550 |
| 25+ | $5.200 |
| 50+ | $5.010 |
| 100+ | $4.820 |
| 250+ | $4.810 |
Información del producto
Resumen del producto
El HIP2101IBZT es un CI controlador MOSFET de potencia de canal N de medio puente de alta frecuencia y 100V. Es equivalente al HIP2100 con la ventaja adicional de pines de entrada lógica totalmente compatibles con TTL/CMOS. Los controladores de puerta de lado bajo y lado alto se controlan de forma independiente y están calibrados a 13ns. Esto proporciona a los usuarios un control total sobre el tiempo muerto para topologías de circuitos de potencia específicas. La protección contra subtensión en las fuentes de alimentación de baja y alta tensión fuerza las salidas a nivel bajo. Un diodo integrado elimina el diodo discreto necesario en otros circuitos integrados de control. Una nueva topología de convertidor de nivel ofrece las ventajas de bajo consumo de la operación pulsada con la seguridad de la operación en CD. A diferencia de algunos competidores, la salida de alta tensión vuelve a su estado correcto tras una subtensión momentánea en la fuente de alimentación de alta tensión. Entre sus aplicaciones se incluyen fuentes de alimentación de medio puente para telecomunicaciones, convertidores CD-CD para aviónica, convertidores directos de dos interruptores y convertidores directos con abrazadera activa.
- Voltaje máximo de alimentación de arranque de hasta 114VCD, diodo de arranque integrado de 1 ohm
- Tiempos de propagación rápidos para circuitos multi-MHz, sin problemas de arranque
- Los umbrales de entrada TTL/CMOS aumentan la flexibilidad y el consumo de energía
- Entradas independientes para topologías que no sean de medio puente, protección contra subtensión de alimentación
- Salidas no afectadas por fallos de alimentación, oscilaciones de HS por debajo de tierra ni variación de HS a dv/dt elevado
- Resistencia del controlador de salida de 3 ohms, corriente de reposo VDD típica de 0.3mA
- Corriente de funcionamiento VDD típica de 1.7mA a (f = 500kHz)
- Retardo de propagación de apagado reducido (caída de LI a caída de LO) de 25ns típico a (TJ = 25 °C)
- Rango de temperatura de -40 °C a +125°C
- Paquete SOIC de 8 terminales
Especificaciones técnicas
2Canales
Half Bridge
8Pines
SOIC
Non-Inverting
2
14
125
25
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Isolated
MOSFET
0
Surface Mount
2
9
-40
25
-
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
