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PM450DV1A120
Módulo IGBT, Doble, 450 A, 1.85 V, 2.23 kW, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricantePM450DV1A120
No. Parte Newark79R2144
Rango de ProductoSerie V1
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 44 semanas
Información del producto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricantePM450DV1A120
No. Parte Newark79R2144
Rango de ProductoSerie V1
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC450A
Corriente del Colector Continua450A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Disipación de Potencia2.23kW
Disipación de Potencia Pd2.23kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de Transistor-
No. de Pines13Pines
Terminación del IGBTPestaña
Tecnología IGBTIGBT 5 [Puerta de trinchera]
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoSerie V1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The PM450DV1A120 is a single-phase Intellimod™ intelligent Power Module designed for power switching applications operating at frequencies to 20kHz. Built-in control circuits provide optimum gate drive and protection for the IGBT and free-wheel diode power devices. The isolated base module has IGBT inverter output.
- Complete output power circuit
- Gate drive circuit
- Protection logic - Short-circuit, overtemperature and undervoltage
Aplicaciones
Administración de Potencia, Control de Motor
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente del Colector Continua
450A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
2.23kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
-
Terminación del IGBT
Pestaña
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
Serie V1
Corriente de Colector DC
450A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
2.23kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
No. de Pines
13Pines
Tecnología IGBT
IGBT 5 [Puerta de trinchera]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto