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CM400DU-24F
Módulo IGBT, Doble [medio puente], 400 A, 1.2 kV, 1.1 kW, 150 °C, Module
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FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM400DU-24F
No. Parte Newark31C0201
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
Información del producto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM400DU-24F
No. Parte Newark31C0201
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble [medio puente]
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Corriente de Colector DC400A
Corriente del Colector Continua400A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Disipación de Potencia Pd1.1kW
Disipación de Potencia1.1kW
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPestaña
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 5 [Puerta de trinchera]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble [medio puente]
Corriente de Colector DC
400A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
1.1kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
400A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
1.1kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Pestaña
Tecnología IGBT
IGBT 5 [Puerta de trinchera]
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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