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DRC2123J0L
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricantePANASONIC
No. Parte FabricanteDRC2123J0L
No. Parte Newark56W4006
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Información del producto
FabricantePANASONIC
No. Parte FabricanteDRC2123J0L
No. Parte Newark56W4006
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia Pd200mW
Disipación de Potencia200
Diseño de TransistorSOT-23
Corriente de Colector DC100mA
Ganancia de Corriente DC hFE80hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Disipación de Potencia Pd
200mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
80hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
100mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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