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UJ4C075060B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4C075060B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark78AK8924
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.580 |
| 10+ | $5.140 |
| 25+ | $4.720 |
| 50+ | $4.300 |
| 100+ | $3.870 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.58
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4C075060B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark78AK8924
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id25.8
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente58
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia128
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
25.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
58
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
128
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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