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UJ4C075044L8S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 35.6 A, 750 V, 0.056 ohm, SOIC
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4C075044L8SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark49AM1488
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.360 |
| 10+ | $10.030 |
| 25+ | $9.420 |
| 50+ | $8.810 |
| 100+ | $8.200 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$14.36
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4C075044L8SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark49AM1488
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id35.6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia181W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
35.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
181W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto