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UJ3C120070K3S
MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, SENCILLO
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C120070K3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark47AK1775
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1,187 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.920 |
| 10+ | $13.010 |
| 25+ | $12.350 |
| 50+ | $11.710 |
| 100+ | $11.280 |
| 250+ | $10.830 |
| 500+ | $10.630 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.92
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C120070K3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark47AK1775
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id34.5
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia254.2
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
254.2
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto