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UG4SC075009K4S
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 106A, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUG4SC075009K4SCopiar
No. Parte Newark49AM1480
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $22.150 |
| 10+ | $18.590 |
| 25+ | $17.370 |
| 50+ | $16.150 |
| 100+ | $14.920 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$22.15
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUG4SC075009K4SCopiar
No. Parte Newark49AM1480
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id106A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0115ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia375W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
106A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0115ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
375W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto