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UF4C120070K3S
MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, SENCILLO
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF4C120070K3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark78AK8905
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391 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.000 |
| 10+ | $8.420 |
| 25+ | $7.820 |
| 50+ | $7.280 |
| 100+ | $6.750 |
| 250+ | $6.450 |
| 500+ | $6.330 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF4C120070K3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark78AK8905
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id27.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente72mohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia217W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
27.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
72mohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
217W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto