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UF3SC065030B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3SC065030B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark78AK8900
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $21.130 |
| 50+ | $14.230 |
| 100+ | $13.950 |
| 250+ | $13.660 |
| 500+ | $13.380 |
| 1000+ | $13.090 |
| 2500+ | $12.810 |
| 5000+ | $12.520 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$21.13
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3SC065030B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark78AK8900
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id62
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente27
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia214
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
27
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
214
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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