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MUN5335DW1T2G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5335DW1T2GCopiar
No. Parte Newark26K5215
Rango de ProductoSerie TIPxxx
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5335DW1T2GCopiar
No. Parte Newark26K5215
Rango de ProductoSerie TIPxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia40
Disipación de Potencia Pd40W
Corriente de Colector DC3A
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TIPxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia
40
Corriente de Colector DC
3A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia Pd
40W
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
Diseño de Transistor
TO-220
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TIPxxx
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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