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TIP112G.
Transistor Darlington, NPN, 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTIP112G.
No. Parte Newark26AC4295
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTIP112G.
No. Parte Newark26AC4295
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Corriente del Colector Continua2A
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia50W
No. de Pines3Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-220
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Frecuencia de Transición
-
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Corriente del Colector Continua
2A
Disipación de Potencia
50W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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