RFP50N06
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | RFP50N06Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 58K9518 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.470 |
| 10+ | $2.400 |
| 100+ | $1.790 |
| 500+ | $1.530 |
| 1000+ | $1.500 |
| 2500+ | $1.470 |
| 5000+ | $1.440 |
Información del producto
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | RFP50N06Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 58K9518 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 50 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.022 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.022ohm |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Disipación de Potencia Pd | 131W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 131 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El RFP50N06 es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V que utiliza el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, lo que resulta en un rendimiento sobresaliente. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relé. Este transistor se puede operar directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Modelo PSPICE® de compensación de temperatura
- Corriente pico vs. curva de ancho de pulso
- Curva de calificación UIS
- Temperatura de unión nominal de 175°C
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.022 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 50 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.022ohm |
| Disipación de Potencia Pd | 131W |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Disipación de Potencia | 131 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza RFP50N06
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto | |
 | Proposition 65 |