Imprimir página
RFP12N10L
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP12N10L
No. Parte Newark58K9511
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
885 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.610 |
| 10+ | $0.918 |
| 100+ | $0.846 |
| 500+ | $0.778 |
| 1000+ | $0.711 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.61
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP12N10L
No. Parte Newark58K9511
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Compatible with automotive drive requirements
- Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
- High input impedance
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Disipación de Potencia Pd
60W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto