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RFP12N10L
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP12N10LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark58K9511
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.380 |
| 10+ | $1.350 |
| 100+ | $1.060 |
| 500+ | $1.040 |
| 1000+ | $1.020 |
| 2500+ | $0.996 |
| 10000+ | $0.975 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP12N10LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark58K9511
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd60W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Compatible with automotive drive requirements
- Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
- High input impedance
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza RFP12N10L
1 producto (s) encontrado (s)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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Trazabilidad del producto