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RFD14N05LSM
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark26M2230
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.480 |
| 10+ | $0.757 |
| 100+ | $0.624 |
| 500+ | $0.612 |
| 1000+ | $0.599 |
| 2500+ | $0.587 |
| 10000+ | $0.574 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFD14N05LSMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark26M2230
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia48
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
48
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza RFD14N05LSM
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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