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PZT651T1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.217 |
| 3000+ | $0.212 |
| 5000+ | $0.196 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePZT651T1G.Copiar
No. Parte Newark26AC3125
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia800
Disipación de Potencia Pd800mW
Corriente de Colector DC2A
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE75hFE
Diseño de TransistorSOT-223
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición75
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.75
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El PZT651T1G es un transistor bipolar NPN diseñado para su uso en aplicaciones industriales y de consumo. El dispositivo está alojado en el paquete diseñado para aplicaciones de montaje en superficie de potencia media. El paquete asegura un montaje nivelado, lo que da como resultado una conducción térmica mejorada y permite la inspección visual de las juntas soldadas. Los cables formados absorben el estrés térmico durante la soldadura, eliminando la posibilidad de dañar la matriz.
- Se puede soldar usando ola o reflujo
- Libre de halógenos
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Disipación de Potencia
800
Corriente de Colector DC
2A
Ganancia de Corriente DC hFE
75hFE
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
75
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia Pd
800mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-223
Frecuencia de Transición
75
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PZT651T1G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto