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PN2907ATF
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePN2907ATF
No. Parte Newark31Y3455
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Corriente del Colector Continua800
Corriente de Colector DC800mA
Disipación de Potencia625
Disipación de Potencia Pd625mW
Diseño de TransistorTO-226AA
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PN2907ATF
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente de Colector DC
800mA
Disipación de Potencia Pd
625mW
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente del Colector Continua
800
Disipación de Potencia
625
Diseño de Transistor
TO-226AA
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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