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NXV65HR82DS2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 26 A, 650 V, 0.082 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXV65HR82DS2
No. Parte Newark32AJ8466
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $43.410 |
| 5+ | $41.170 |
| 10+ | $38.940 |
| 25+ | $36.700 |
| 50+ | $36.520 |
| 144+ | $36.350 |
| 288+ | $36.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$43.41
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXV65HR82DS2
No. Parte Newark32AJ8466
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id26
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.082
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia126
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
26
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.082
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
126
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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