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NXH020F120MNF1PTG
MOSFET de carburo de silicio, Paquete Cuádruple, Cuatro Canales N, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020F120MNF1PTG
No. Parte Newark27AK4265
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020F120MNF1PTG
No. Parte Newark27AK4265
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPaquete Cuádruple
Tipo de CanalCuatro Canales N
Intensidad Drenador Continua Id51
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorModule
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.81
Disipación de Potencia119
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Paquete Cuádruple
Intensidad Drenador Continua Id
51
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.81
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Cuatro Canales N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
119
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NXH020F120MNF1PTG
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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