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NXH020F120MNF1PG
MOSFET de carburo de silicio, Puente Completo, Doble Canal N, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020F120MNF1PG
No. Parte Newark81AK4281
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $133.790 |
| 5+ | $129.400 |
| 10+ | $125.010 |
| 25+ | $120.610 |
| 50+ | $116.230 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$133.79
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020F120MNF1PG
No. Parte Newark81AK4281
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETFull Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id51A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia119W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Full Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
51A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
119W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto