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NXH003P120M3F2PTHG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $197.210 |
| 5+ | $193.400 |
| 10+ | $189.580 |
| 25+ | $185.770 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH003P120M3F2PTHG
No. Parte Newark94AK7562
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id350
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005
Diseño de TransistorModule
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4
Disipación de Potencia979
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
979
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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