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NVS4001NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVS4001NT1G
No. Parte Newark31AC1199
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.436 |
| 10+ | $0.280 |
| 25+ | $0.249 |
| 50+ | $0.217 |
| 100+ | $0.186 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVS4001NT1G
No. Parte Newark31AC1199
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id270
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
270
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
330mW
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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