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NVMFS5C442NLAFT1G
MOSFET, CANAL N, 40V, 130A, 175°C, 83W
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C442NLAFT1GCopiar
No. Parte Newark54AH9530
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.600 |
| 10+ | $1.670 |
| 25+ | $1.490 |
| 50+ | $1.320 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.030 |
| 500+ | $0.917 |
| 1000+ | $0.896 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C442NLAFT1GCopiar
No. Parte Newark54AH9530
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id130A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia83W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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