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NVMFS5113PLT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5113PLT1G
No. Parte Newark42AC1833
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.0105ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia150
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0105ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65