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NVHL040N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL040N120SC1
No. Parte Newark74AH4857
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
637 En Inventario
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170 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
467 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $27.640 |
| 5+ | $26.030 |
| 10+ | $24.500 |
| 25+ | $24.270 |
| 50+ | $24.120 |
| 100+ | $23.960 |
| 250+ | $23.810 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$27.64
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL040N120SC1
No. Parte Newark74AH4857
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia348
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Disipación de Potencia
348
Rango de Producto
EliteSiC Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto