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NVGS5120PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVGS5120PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5873
Re-reeling (Rollos a medida)14AC4789RL
Cinta adhesiva14AC4789
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655 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.450 | $7.25 |
| Total Precio | $7.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.450 |
| 10+ | $0.916 |
| 15+ | $0.838 |
| 25+ | $0.761 |
| 50+ | $0.683 |
| 125+ | $0.607 |
| 250+ | $0.541 |
| 500+ | $0.474 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.535 |
| 6000+ | $0.497 |
| 12000+ | $0.460 |
| 18000+ | $0.447 |
| 30000+ | $0.439 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVGS5120PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5873
Re-reeling (Rollos a medida)14AC4789RL
Cinta adhesiva14AC4789
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.072ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.111ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-3
Disipación de Potencia1.1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.072ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
1.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-3
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.111ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto