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NVBG040N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Canal N, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG040N120M3S
No. Parte Newark80AK5051
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,400 En Inventario
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200 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
1200 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $24.020 |
| 10+ | $21.290 |
| 25+ | $20.950 |
| 50+ | $20.620 |
| 100+ | $20.280 |
| 250+ | $19.500 |
| 500+ | $18.720 |
| 1600+ | $18.710 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG040N120M3S
No. Parte Newark80AK5051
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id49
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0405
Diseño de TransistorD2PAK-7L
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.22
Disipación de Potencia297
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0405
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.22
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
D2PAK-7L
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
297
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto