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NTUD3169CZT5G
MOSFET, N & P-CH COMPLEMENT, 20V, SOT963
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTUD3169CZT5G
No. Parte Newark81Y7061
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTUD3169CZT5G
No. Parte Newark81Y7061
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P220mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.75ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.75ohm
Diseño de TransistorSOT-963
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N125mW
Disipación de Potencia de Canal P125mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
220mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.75ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
125mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.75ohm
Diseño de Transistor
SOT-963
Disipación de Potencia de Canal N
125mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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