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NTTFS008P03P8Z
MOSFET, CANAL P, 30V, 96A, PQFN
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.590 |
| 10+ | $1.670 |
| 25+ | $1.490 |
| 50+ | $1.320 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.030 |
| 500+ | $0.913 |
| 1000+ | $0.890 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS008P03P8ZCopiar
No. Parte Newark74AH4851
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id96A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia50W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3800µohm
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
96A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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