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NTTFS005N04CTAG
MOSFET, CANAL N, 40V, 69A, WDFN
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.958 |
| 10+ | $0.593 |
| 25+ | $0.524 |
| 50+ | $0.455 |
| 100+ | $0.386 |
| 250+ | $0.358 |
| 500+ | $0.330 |
| 1000+ | $0.291 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS005N04CTAGCopiar
No. Parte Newark99AC9417
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id69A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia50W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5600µohm
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
69A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto