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NTR5105PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR5105PT1G
No. Parte Newark50AC6504
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.252 |
| 10+ | $0.158 |
| 25+ | $0.140 |
| 50+ | $0.121 |
| 100+ | $0.103 |
| 250+ | $0.091 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR5105PT1G
No. Parte Newark50AC6504
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id196
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Resistencia de Activación Rds(on)1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd347mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia347
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
196
Resistencia de Activación Rds(on)
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
347mW
Disipación de Potencia
347
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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