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NTR4171PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4171PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark05R9181
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 52 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.161 |
| 6000+ | $0.153 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$483.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4171PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark05R9181
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd480mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.15
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia480
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NTR4171PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for load switch, optimized for battery and load management applications in portable equipment like cell phones, PDA's and media players.
- Low RDS (ON) at low gate voltage
- Low threshold voltage
- High power and current handling capability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Disipación de Potencia Pd
480mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.15
Disipación de Potencia
480
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTR4171PT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
