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NTR4170NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4170NT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)08R4025
Cinta adhesiva08R4025
Su número de pieza
1,643 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.504 | $0.50 |
| Total Precio | $0.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.504 |
| 25+ | $0.395 |
| 50+ | $0.334 |
| 100+ | $0.286 |
| 250+ | $0.245 |
| 500+ | $0.214 |
| 1000+ | $0.181 |
| 2500+ | $0.158 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4170NT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)08R4025
Cinta adhesiva08R4025
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd780mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia780
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTR4170NT1G es un MOSFET de potencia de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje continuo de 2.4A. Es adecuado para convertidores de potencia para portátiles, administración de baterías y aplicaciones de interruptor de carga/alimentación.
- Bajo RDS (ENCENDIDO)
- Baja carga de compuerta
- Voltaje de umbral bajo
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
780mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
780
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTR4170NT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto