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NTR4101PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.2 A, 85 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4101PT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10P1661
Cinta adhesiva10P1661
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.443 | $0.44 |
| Total Precio | $0.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.443 |
| 10+ | $0.284 |
| 25+ | $0.252 |
| 50+ | $0.220 |
| 100+ | $0.188 |
| 250+ | $0.167 |
| 500+ | $0.146 |
| 1000+ | $0.133 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4101PT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10P1661
Cinta adhesiva10P1661
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd730mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente720
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia730
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTR4101PT1G es un MOSFET de potencia de trinchera de canal P que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de -20V y una corriente de drenaje continua de -2.4A. Es adecuado para circuitos de carga y protección de baterías, gestión de carga para portátiles y aplicaciones informáticas.
- Zanja líder de -20V para bajo RDS (ON)
- Clasificado para accionamiento de puerta de bajo voltaje -1.8 V
- Montaje en superficie para espacios reducidos
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Disipación de Potencia Pd
730mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
720
Disipación de Potencia
730
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTR4101PT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
