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NTR2101PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR2101PT1G
No. Parte Newark45J2174
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8
Intensidad Drenador Continua Id3.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Resistencia de Activación Rds(on)0.039ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd960mW
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia960
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.039ohm
Disipación de Potencia Pd
960mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTR2101PT1G
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65